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Intel acelera inovações de processo e empacotamento

Ritmo anual de inovações impulsiona liderança de silício para sistemas

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DESTAQUES

  • Roteiro de inovações de processo e empacotamento impulsiona a próxima onda de produtos até 2025 e além
  • Novas tecnologias de processo revolucionárias: RibbonFET, primeira nova arquitetura de transistor da Intel em mais de uma década e PowerVia, uma inovação na indústria para fornecimento de energia traseira
  • Liderança contínua em inovações de empacotamento 3D com Foveros Omni e Foveros Direct
  • Novos nomes de nó para criação de uma estrutura consistente, visão mais precisa dos nós de processo para clientes e o setor à medida que a Intel entra na era angstrom de semicondutores
  • Momento histórico para Intel Foundry Services (IFS), com anúncio dos primeiros clientes

SANTA CLARA, Califórnia, 26 de julho de 2021 – A Intel Corporation acaba de apresentar um dos processos e roteiros de tecnologia de empacotamento mais detalhados que a empresa já forneceu, incluindo uma série de inovações que farão parte de seus produtos até 2025 e além. Além de anunciar a chegada do RibbonFET, sua primeira arquitetura de transistor em mais de uma década, e do PowerVia, método inédito para fornecimento de energia traseira, a companhia destacou a intenção de adotar rapidamente a litografia ultravioleta extrema (EUV) de última geração, a EUV de Alta Abertura Numérica (High NA). A Intel encontra-se em condições de receber a primeira ferramenta de produção High NA EUV do setor.

“Com base na liderança inquestionável da Intel em empacotamento avançado, estamos acelerando a estratégia de inovação para garantir nossa liderança de performance processo em 2025”, explicou Pat Gelsinger, CEO da Intel, durante o Intel Accelerated, webcast global da companhia. “Temos um pipeline de inovações inédito e vamos entregar avanços de tecnologia que vão do transistor até o nível de sistema. Iremos até os limites da tabela periódica e seremos incansáveis na nossa busca pela Lei de Moore e nossos planos de inovação por meio da magia do silício”.

Não é novidade para o setor que a nomenclatura tradicional de nó de processo baseada em nanômetro deixou de corresponder à métrica de comprimento de porta real em 1997. Assim, a Intel passa a usar uma nova estrutura de nomenclatura para seus nós de processo para que os clientes tenham uma visão mais clara. Com o lançamento do Intel Foundry Services, este tipo de abordagem é mais importante do que nunca. “As recentes inovações irão aprimorar o mapa de produtos da Intel e serão fundamentais para os clientes de produção de semicondutores”, afirmou Gelsinger. “O interesse pelo IFS é grande e estou feliz em anunciar nossos primeiros clientes. O IFS já é realidade!”

Abaixo, a descrição de tecnólogos para os novos nomes de nós e as inovações de cada um:

  • O Intel 7 oferece um aumento de desempenho por watt de aproximadamente 10% a 15% em relação ao Intel 10nm SuperFin, com base em otimizações do transistor FinFET. O Intel 7 estará presentes em produtos como Alder Lake para clientes e Sapphire Rapids para o centro de dados. Ambos devem entrar em fase de produção no início de 2022.
  • O Intel 4 usa a litografia EUV para impressão de recursos incrivelmente pequenos usando luz de comprimento de onda ultracurto. Com um aumento de aproximadamente 20% no desempenho por watt, junto com melhorias de área, o Intel 4 entra em fase de produção na segunda metade de 2022 e será enviado aos clientes em 2023, incluindo Meteor Lake para clientes e Granite Rapids para o centro de dados.
  • O Intel 3 usa outras otimizações FinFET e EUV aprimorado para proporcionar um aumento de performance por watt de aproximadamente 18% em comparação ao Intel 4, além de melhorias adicionais de área. O início da fabricação de produtos com Intel 3 está previsto para a segunda metade de 2023.
  • O Intel 20A marca o início da era angstrom com duas tecnologias revolucionárias, RibbonFET e PowerVia. RibbonFET é a implementação da Intel de um transistor gate-all-around e será a primeira arquitetura de transistor da empresa desde 2011, quando lançou o pioneiro FinFET. A tecnologia oferece velocidades de comutação de transistor maiores, ao mesmo tempo em que atinge a mesma corrente de acionamento de várias aletas em um espaço significativamente menor. Já PowerVia é uma implementação exclusiva da Intel, pioneira no setor, voltada ao fornecimento de energia traseira que elimina a necessidade de roteamento de energia na parte frontal do wafer, otimizando a transmissão do sinal. O Intel 20 deve ser lançado em 2024. A companhia também está otimista com a possibilidade de firmar parceria com a Qualcomm para a tecnologia de processo Intel 20A.
  • 2025 e além: Com lançamento previsto para depois do Intel 20A, o Intel 18A entra em fase de desenvolvimento no início de 2025, com melhorias do RibbonFET que irão proporcionar mais um salto considerável na performance de transistor. A Intel também está trabalhando na definição, construção e implantação da próxima geração de High NA EUV e espera receber a primeira ferramenta de produção do setor. Em parceria com a ASML, a Intel espera garantir o sucesso de mais um produto revolucionário que irá além da atual geração de EUV.

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“A Intel possui um longo histórico de inovações em processos fundamentais que contribuíram com a evolução do setor”, explica Ann Kelleher, vice-presidente sênior e diretora de Technology Development. “Nós lideramos a transição para silício tensionado em 90 nm, para gates de metal high-k em 45 nm e para FinFET em 22 nm. O Intel 20A será mais um divisor de águas na tecnologia de processos com duas inovações revolucionárias: RibbonFET e PowerVia.”

Com a nova estratégia IDM 2.0 da Intel, o empacotamento ganha cada vez mais importância na realização dos benefícios da Lei de Moore. A companhia anunciou que a AWS será o primeiro cliente a usar as soluções de empacotamento IFS, além de oferecer os seguintes insights acerca do planejamento de empacotamento avançado líder da empresa:

  • EMIB segue liderando o setor como primeira solução de ponte embutida 2.5D, com lançamento de produtos desde 2017. Sapphire Rapids será o primeiro produto Xeon para o centro de dados a lançar ponte de interconexão multi-die (EMIB) embutida em grande quantidade. Esse também será o primeiro dispositivo do setor com tamanho de retículo duplo, proporcionando quase o mesmo desempenho de um design monolítico. Além do Sapphire Rapids, a próxima geração de EMIB passará de um bump pitch de 55 microns para 45 microns.
  • A tecnologia Foveros usa capacidades de empacotamento de nível de wafer para oferecer uma solução de empilhamento 3D inédita. O processador Meteor Lake marca a implementação de segunda geração do Foveros em um produto cliente, com bump pitch de 36 micros, tiles que abrangem diferentes nós de tecnologia e uma faixa de potência de design térmico de 5 a 125W.
  • O Foveros Omni marca a chegada da próxima geração de tecnologia Foveros, fornecendo flexibilidade ilimitada com tecnologia de empilhamento 3D de desempenho para projetos modulares e interconexão die-to-die. O Foveros Omni permite desagregar o die, combinando vários tiles de topo e de base em nós de fabricação mistos. O início da produção está previsto para 2023.
  • Já o Foveros Direct foca na ligação direta de cobre a cobre para interconexões de baixa resistência de forma. Assim, já não será possível saber onde termina o wafer e onde começa o empacotamento. O Foveros Direct ativa bump pitches de sub-10 microns, proporcionando um aumento de ordem de magnitude na densidade de interconexão para empilhamento 3D e abrindo as portas para novos conceitos para particionamento funcional de die que antes pareciam inatingíveis. O Foveros Direct é complementar ao Foveros Omni e deve ficar pronto em 2023.

As inovações apresentadas hoje foram desenvolvidas nas instalações da Intel localizadas nos estados do Oregon e do Arizona e consolidam o papel da Intel como a única empresa de ponta em pesquisa, desenvolvimento e fabricação nos EUA. Além disso, as inovações contam com a estreita colaboração de um ecossistema de parceiros nos EUA e na Europa. Esse tipo de parceria é fundamental para possibilitar inovações desta magnitude, do laboratório à produção em larga escala. A Intel está comprometida com a parceria com governos a fim de fortalecer as cadeias de suprimentos e impulsionar a economia e segurança nacionais.

Ao encerrar o webcast, a empresa informou que mais detalhes serão divulgados no evento Intel InnovatiON. O Intel InnovatiON acontece em São Francisco e será online nos dias 27 e 28 de outubro de 2021. Informações adicionais podem ser acessadas no site Intel ON.

Para saber mais sobre o plano de processos e nomes de nós da Intel, acesse a ficha do processo. Acesse a sala de imprensa ou o site de relações com investidores da Intel para assistir a uma reprise do webcast de hoje.

Declarações antecipadas quanto ao futuro
Este press release contém declarações prospectivas relacionadas aos planos futuros e expectativas da Intel, incluindo os processos da Intel, planejamentos e cronogramas de tecnologia de empacotamento; ritmo de inovações; tecnologias e produtos futuros e os benefícios e disponibilidade esperados destas tecnologias e produtos, incluindo tecnologias PowerVia, RibbonFET, Foveros Omni e Foveros Direct, nós de processo futuros, além de outras tecnologias e produtos; paridade e liderança tecnológica; usos, benefícios e disponibilidade futuros de EUV e outras ferramentas de fabricação; expectativas em relação a fornecedores, parceiros e clientes; a estratégia da Intel; planos de fabricação; planos e investimento e expansão capacidade de fabricação; além de planos e metas relacionados ao negócios de foundry (contratação de produção de semicondutores) da Intel. Tais declarações envolvem uma série de riscos e incertezas. Termos como “antecipa”, espera”, “pretende”, “metas”, “planeja”, “acredita”, “busca”, “estima”, “continua”, “poderá”, “irá”, “iria”, “deveria”, “poderia”, “estratégia”, “progresso”, “acelera”, “rota”, “no rumo certo”, “plano”, “escopo”, “cadência”, “ápice”, “posicionada”, “comprometida” e “entrega”, bem como variações desses termos e expressões semelhantes são usados para identificar declarações antecipadas quanto ao futuro. Informações que se referem a ou são baseadas em estimativas, previsões, projeções, eventos incertos ou suposições também indicam declarações prospectivas. Tais declarações estão baseadas nas expectativas atuais da administração e envolvem um número de riscos e incertezas que podem fazer com que resultados reais variem consideravelmente em relação àqueles expressos ou implícitos. Fatores importantes que podem fazer com que os resultados reais sejam materialmente diferentes das expectativas da companhia incluem, entre outros, a falha da Intel em realizar os benefícios previstos de sua estratégia e planos; mudanças nos planos devido a fatores comerciais, econômicos ou outros; ações tomadas por concorrentes, incluindo mudanças nos roteiros de tecnologia dos concorrentes; mudanças que afetam nossas projeções em relação à nossa tecnologia ou tecnologia concorrente; atrasos no desenvolvimento ou implementação de nossas tecnologias de fabricação futuras ou falhas em obter os benefícios previstos de tais tecnologias, incluindo melhorias esperadas no desempenho e outros fatores; atrasos ou alterações no design ou introdução de produtos futuros; mudanças nas necessidades ou planos do cliente; mudanças nas tendências de tecnologia; nossa capacidade de responder rapidamente aos desenvolvimentos tecnológicos; atrasos, mudanças nos planos ou outras interrupções envolvendo ferramentas de manufatura e outros fornecedores; e outros fatores estabelecidos nos relatórios da Intel arquivados ou fornecidos junto à Securities and Exchange Commission (SEC) dos EUA, incluindo os relatórios mais recentes da Intel no Formulário 10-K e Formulário 10-Q, disponíveis no site de relações com investidores da Intel em www.intc.com e o site da SEC em www.sec.gov. A Intel não se compromete, e se isenta expressamente de qualquer dever, a atualizar qualquer declaração feita nesse comunicado à imprensa, seja como resultado de novas informações, novos desenvolvimentos ou outros, exceto na medida em que a divulgação possa ser exigida por lei.
Todos os planos de produtos e serviços, planejamentos e dados de performance estão sujeitos a alterações sem aviso prévio. A paridade de desempenho do processo e as expectativas de liderança são baseadas em projeções de desempenho por watt. O desempenho futuro de nó e outras métricas, incluindo potência e densidade, são projeções e são inerentemente incertas.
© Intel Corporation. Intel, o logo da Intel e outras marcas Intel são marcas registradas da Intel Corporation ou de suas subsidiárias. Outros nomes e marcas são de propriedade de seus respectivos donos.
 

 

Sobre a Intel

A Intel (NASDAQ: INTC) é líder da indústria e cria tecnologias que mudam o mundo, apoiando o progresso e melhorando a vida das pessoas. Inspirados pela Lei de Moore, trabalhamos continuamente no aprimoramento do design e da fabricação de nossos semicondutores para ajudar clientes e parceiros a encontrar a melhor resposta para seus maiores desafios. Ao incorporar inteligência à nuvem, rede, borda e em todos os dispositivos de computação, fazemos com que o potencial dos dados seja realmente capaz de transformar os negócios e a sociedade. Para saber mais sobre as inovações da Intel, acesse newsroom.intel.com.br e intel.com.br.

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